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  • 中科院突破5nm加工法,華為芯片將迎來曙光

    中科院突破5nm加工法,華為芯片將迎來曙光

    華為公司在10月22日晚上舉行了全球線上發佈會,推出了新一代的Mate 40系列,其中Mate 40搭載的麒麟9000芯片更是驚豔亮相,採用了5nm工藝製程,實現了集成153億個晶體管,是全球首個突破150億大關的芯片,比蘋果A14多30%。 在華為CEO餘承東的介紹中,麒麟9000芯片擁有八核的CPU,24核的GPU,兩大一小NPU,還集成了華為最先進的ISP技術。但是由於美國的第二輪制裁,華為的芯片截止到9月15日就已經全面停產。也代表新一代全球最領先的麒麟9000芯片將會絕版,其中原因之一就是我們沒有屬於自己的光刻機。 一、中國為何需要光刻機 華為芯片被斷之後,我們迫切需要解決的技術就是芯片製造技術,但是想要解決芯片製造技術就離不開光刻機。舉一個很簡單的例子,光刻機就是將設計好的芯片圖紙“打印”出來的過程。 而光刻機越高端,打印出來的芯片性能也就越好。所以,想要實現芯片自研的發展,首先要具備一流的光刻機。一直以來,中國的芯片也都是需要依靠進口的,不管是華為系統還是安卓系統,我國手機中的芯片都是需要和其他國家合作才能進行下去的。進口其他國家的芯片,然後自己再次組裝生產,這也導致我國會陷入尷尬的局面。 芯片作為產品絕對的核心部件,華為目前僅僅只能掌握芯片設計,旗下麒麟系列最頂級芯片都是需要採用5nm和7nm技術,而目前中方技術只能生產出14nm芯片,這距離全球頂尖水平還是有不小的距離,我們主要就是落後在芯片的生產設備光刻機上,而美國就是想要將這一優勢放大轉為勝勢。 二、中科院“入局”光刻機 前不久,中科院決定“入局”光刻機,院長白春禮表示“面臨美國在高科技產業的打壓,我們就要把對方卡脖子的清單變成科研目標和任務”!光刻機從表面上看是個巨大的難題,但在短時間內中科院已經有了重大突破,目前傳來最新消息,我們已經研發出5nm激光光刻加工方法,這項新技術的出現或將一舉打破荷蘭ASML的壟斷局面! 關於中國科學院的決定,業內人士都紛紛評論:近年來光刻機、芯片這些資金密集且研發週期長的產業不斷受到國家的重視,顯然這次“國家隊”的出手將會給半導體行業注入一針強心劑。 在中國科學院宣佈入場光刻機之後,國內的好消息也是頻頻傳來, 值得一提的是,中國的南京集成電路大學正式揭牌儀式,就在華為舉行線上全球發佈會的同一天。並且該校所有的科目學習都將圍繞芯片來進行。還與華為和中心國際等公司合作,為國家培養集成電路人才。在這裏將會源源不斷地為中國培養相關人才,徹底在把中國的芯片產業給落實,未來再也不會懼怕美國的“卡脖子”了。 這一步一步走來,中國也在發揮出了自己的民族精神,不怕苦不怕累。中國在芯片領域也在不斷前行,雖然緩慢,但是相信終歸可以實現芯片爆發式增長,掌握自己的核心技術。

    時間:2020-10-23 關鍵詞: 5nm 芯片 麒麟9000

  • 我國第一所芯片大學成立,稱為南京集成電路大學

    我國第一所芯片大學成立,稱為南京集成電路大學

    在10月22日的華為Mate 40系列發佈會最後,餘承東表示,華為現在處在非常艱難的時刻。這令人十分痛心。艱難的不只是華為,還有中國芯片行業。美國正將黑手伸向越來越多的中國半導體企業,這都令人不得不提高警惕。 現階段由於“中國芯”的缺失,正經歷着史無前例的艱難困苦,但針對怎樣打造出“中國芯”,我們一直在奮鬥。 十月二十二日,我國第一所芯片大學——南京集成電路大學舉行了揭牌儀式。其有別於其他大學更側重於基礎知識的傳授,這所學校更重視專業技能的塑造以及綜合實踐的帶教。而且該學校將與華為、中芯國際合作,向自己的建校初衷——塑造集成電路優秀人才前進,達到優秀人才的“質與量”的要求。 該大學為當今半導體優秀人才貧乏的現狀雪中送炭,可以説,這是一所具備中國社會主義特色的芯片大學! 據報道,南京集成電路產業服務項目局長、東南大學專家教授時龍興被任命為南京集成電路大學校校長。據時龍興介紹,為了更好地培育集成電路人才,達到該人才培養的數量、品質和多元化規定,南京集成電路大學應時而生。各專業都將緊緊圍繞集成電路技術開展設計方案,關鍵搞好“小而精”的芯片製造工作。 IC是一項漫長的工作,人才培養也是一項長期的投入,科技人員一定要能耐住性子和能坐冷板凳。現階段的狀況不清楚什麼是科學、不重視科學研究、不尊重科學家,不能學會獨立思考,那麼談何核心技術呢? 更特別的是,南京集成電路大學的“股東們”是公司、高等學校和科研院所,有別於傳統的大學。它並不是由國家或省份創建的,而是依據產業的需要而開設的大學,探尋一種新的產業人才培養方式。 就人才培養來講,南京集成電路大學採用的模式為“5+1+2”。企業員工、大學中即將畢業的學子和來源於不同科學研究組織的工作人員,都可以是芯片大學的生源。可以説,南京集成電路大學是與高等院校與公司連接、產教融合發展的開發平台。這樣看的話,該大學的學生必須一定的基礎知識,並不是從普通高中招生,也不是作為傳統大學文化教育的填補。 除了辦校願景、招生方式和傳統的大學不一樣,它的師資、課程內容以及資格證書都不一樣。南京集成電路大學師資是資深的工程設計師,或者是專家。經過這樣的專家指導,那樣塑造出的優秀人才更合乎公司的需求。 該大學將結合學生的缺點和企業的要求來設計課程,與傳統大學的規範化輸出不一樣的是,它是一種人性化的學習培訓。因此,在該大學畢業時,會拿到不一樣的資格證書。從該芯片大學畢業得到的是實踐考核的結業證,而從傳統大學畢業則會拿到國家教育部授予的畢業證。 若南京集成電路大學的模式能夠成功,這對國產芯片行業來説,是一個不錯的消息。國產芯片有望迎來曙光。 比爾蓋茨曾表示,美國對華為芯片斷供的行為,會逼迫中國投身芯片製造行業,並最終實現芯片自給自足。如今看來,比爾蓋茨所言非虛。中國如今正向着國產芯片自主、可控的方向,一步步邁進。 國產芯片並不能一蹴而就,還有很長的發展,應腳踏實地。

    時間:2020-10-23 關鍵詞: 半導體 集成電路 芯片

  • MEMS行業的競爭壁壘與競爭格局

    MEMS行業的競爭壁壘與競爭格局

    MEMS 的全稱是微型電子機械系統(Micro-Electro-Mechanical System),是微電路和微機械按功能要求在芯片上的一種集成,基於光刻、腐蝕等傳統半導體技術,融入超精密機械加工,並結合力學、化學、光學等學科知識和技術基礎,使得一個毫米或微米級的 MEMS 具備精確而完整的機械、化學、光學等特性結構。 MEMS 行業系在集成電路行業不斷髮展的背景下,傳統集成電路無法持續地滿足終端應用領域日漸變化的需求而成長起來的。 隨着微電子學、微機械學以及其他基礎自然科學學科的相互融合,誕生了以集成電路工藝為基礎,結合體微加工等技術打造的新型芯片。汽車電子、消費電子等終端應用市場的擴張,使得MEMS 應用越來越廣泛,產業規模日漸擴大,日趨成為集成電路行業的一個新分支。 一、MEMS的市場規模 隨着 MEMS 技術及產業的發展,MEMS 在通訊、生物醫療、工業科學、消費電子、汽車電子、導航定位等領域的應用日漸普及,MEMS 市場在不斷創新中呈現出快速增長的趨勢。2008 年以前,汽車電子是 MEMS 主要應用市場;2008年以後,智能手機等終端產品日益湧現並佔領 MEMS 主流市場;在未來,隨着智能化場景的進一步普及,各種新興應用領域如物聯網、可穿戴設備、智能家居及工業 4.0 等將為 MEMS 提供更廣闊的發展空間,MEMS 產品的使用量預計將加速增長。 根據全球權威半導體諮詢機構 Yole Development 的研究,2019 年全球 MEMS行業市場規模為 115 億美元,考慮到 COVID-19 疫情影響,2020 年 MEMS 市場規模將下滑至 109 億美元,預計到 2025 年 MEMS 市場規模將增長至 177 億美元,複合增長率可達 7.4%。從市場細分領域來看,消費電子、汽車電子仍將是 MEMS最大的兩個應用領域,而同時在通訊、生物醫療、工業科學領域的增速也將非常可觀。 在消費電子、工業及汽車電子應用的巨大市場和快速發展的強力拉動下,中國地區已經成為過去五年 MEMS 市場規模發展最快的地區。中國作為全球最大的電子產品生產基地,對 MEMS 傳感器的市場需求巨大,各類 MEMS 傳感器供應商包括光傳感器、運動傳感器等供應商均已轉戰中國市場,MEMS 傳感器產業生態環境逐漸完善。 二、MEMS 行業發展歷程 MEMS 起源可追溯至 20 世紀 50 年代,硅的壓阻效應被發現後,學者們開始了對硅傳感器的研究。然而,MEMS 產業真正發展始於 20 世紀 80 年代,前後經歷了 3 次產業化浪潮。 20 世紀 80 年代至 90 年代:1983 年 Honeywell 利用大型刻蝕硅片結構和背蝕刻膜片製作了集成壓力傳感器,將機械結構與電路集成在一個芯片內。80 年代末至 90 年代,汽車行業的快速發展,汽車電子應用如安全氣囊、制動壓力、輪胎壓力監測系統等需求增長,巨大利潤空間驅使歐洲、日本和美國的企業大量生產 MEMS,推動了 MEMS 行業發展的第一次浪潮。 20 世紀 90 年代末至 21 世紀初:本階段早期,噴墨打印頭和微光學器件的巨大需求促進了 MEMS 行業的發展。而 2007 年後,消費電子產品對 MEMS 的強勁需求,手機、小家電、電子遊戲、遠程控制、移動互聯網設備等消費電子產品要求體積更小且功耗更低的 MEMS 相關器件,對 MEMS 產品需求更大,掀起了 MEMS 行業發展的第二次產業化浪潮,並將持續推動 MEMS 行業向前發展。 2010 年至今:產品應用的擴展,使 MEMS 行業呈現新的趨勢。MEMS 產品逐步應用於物聯網、可穿戴設備等新領域,應用場景日益豐富,正漸漸覆蓋人類生活的各個維度。此外,MEMS 是當前移動終端創新的方向,新的設備形態(如可穿戴設備)需要更加微型化的器件和更為便捷的交互方式。然而,物聯網、可穿戴設備應用助推 MEMS 第三次產業化浪潮的同時,行業仍然面臨來自產品規格、功率消耗、產品整合以及成本等方面的壓力,MEMS 產品及相關技術亟待持續改進,以滿足更小、更低能耗、更高性能的需求。 三、MEMS 製造行業主要經營模式 與傳統集成電路產業類似,從 MEMS 產業價值鏈來看,根據行業內企業提供的產品或服務,可以分為設計、製造和封測三個環節。其中,MEMS 製造行業屬於 MEMS 行業的一個環節,處於產業鏈的中游。該行業根據設計環節的需求開發各類 MEMS 芯片的工藝製程並實現規模生產,兼具資金密集型、技術密集型和智力密集型的特徵,對企業資金實力、研發投入、技術積累等均提出了極高要求。 目前市場中,一方面 IDM 企業受到來自升級產業線以及降低成本維持利潤的雙重壓力,市場中已出現 IDM 企業將製造環節外包的情況;另一方面,MEMS產品應用的爆發式增長需要不同領域、不同行業的新興 MEMS 公司參與其中,但鉅額的工廠建設投入、運維成本以及 MEMS 工藝開發、集成的複雜性卻形成了較高的行業門檻,阻礙了市場的持續擴張。 在此背景下,純 MEMS 代工廠與 MEMS 產品設計公司合作開發產品的商業模式將成為未來行業業務模式的主流。類似於傳統集成電路行業發展趨勢,MEMS 產業將逐步走向設計與製造分立、製造環節外包的模式。 MEMS 製造主要指 MEMS 芯片製造,行業內主要經營模式包括兩類,一類是依靠自有生產線進行生產,另一類則是外包給 MEMS 代工廠進行生產。行業內提供 MEMS 製造代工服務的企業,從芯片類型和產業價值鏈來看,主要分為三類,即純 MEMS 代工、IDM 企業代工以及傳統集成電路 MEMS 代工。 1、純 MEMS 代工 純 MEMS 代工企業不提供任何設計服務,企業根據客户提供的 MEMS 芯片設計方案,進行工藝製程開發以及代工生產服務。代表企業有公司、TeledyneDalsa、IMT 等。 2、IDM 企業代工 IDM 企業即垂直整合器件製造商,該類sf集運除了進行集成電路設計之外,一般還擁有自有的封裝廠和測試廠,其業務範圍涵蓋集成電路的設計、製造、封裝和測試所有環節。由於晶圓製造、封裝和測試的生產線建設均需要鉅額資金投入,因此 IDM 模式對企業的研發力量、資金實力和市場影響力都有極高的要求。在滿足自身晶圓製造需求後,IDM 企業會將剩餘的產能外包出去,提供 MEMS代工服務。採用 IDM 代工模式的企業均為全球芯片行業巨頭,主要代表為博世(Bosch)、意法半導體(STMicro)、德州儀器(TI)等企業。 3、傳統集成電路 MEMS 代工 傳統集成電路(主要為 CMOS)代工企業以原有的 CMOS 產線為基礎,嵌套部分特殊的生產 MEMS 工藝技術,將舊產線轉化為 MEMS 代工線。由於批量生產能力突出,傳統集成電路企業往往會集中向出貨量較高的消費電子領域的MEMS 產品提供代工,該類代工企業以台積電(TSMC)、Global Foundries 等為代表。 歷史發展過程中,由於 MEMS 產品在材料、加工、製造工序等單個產品差異較大,器件標準化程度較低,影響了產業垂直分工的發展,行業以 IDM 企業為主導。近年來,隨着 MEMS 技術的發展和市場需求的逐漸興起,MEMS 標準化的程度大大發展,平台化基礎正在形成,越來越多的 MEMS 產品的產業鏈垂直分工條件日趨成熟。 四、MEMS行業的競爭壁壘 由於 MEMS 行業存在產品非標準化的特點,MEMS 公司無法僅僅通過單一工藝支持整個產品世代。MEMS 產品中,除了採用相同的硅材料外,沒有可以在所有器件中通用的基礎元件,“一類產品,一種製造工藝”的定律意味着MEMS 製造商需要針對每個單獨的產品採取不同的工藝策略。在生產過程中,往往需要同時對多個產品同時進行工藝研發,在研發完成、產品測試合格並實現量產、進行銷售之前,公司需要大量資金投入以維持運營。因此,MEMS 相較於傳統集成電路不僅需要大量的時間成本,還需要大量的資金投入,這就建立期了其資金壁壘。 除了資金外,技術又是其另一個壁壘。 首先,MEMS 是一種全新的必須同時考慮多種物理場混合作用的研發領域,相對於傳統的機械,它們的尺寸更小,最大的不超過一釐米,有些甚至僅僅幾微米,其厚度更加微小。因而 MEMS 產品的開發和製造需要包括與物理、化學、生物等相關的專業技術。 其次,MEMS 需要多種工藝開發技術。MEMS 晶圓代工業務需要並行處理多項工藝開發項目,還需要儘可能以最有效的方式利用所有工程資源。“一類產品,一種製造工藝”的定律意味着每種產品都需要從頭開始設計工藝。每一項工藝都需要經過工藝開發和優化的步驟,這些工藝步驟包括DRIE、鍵合、薄膜沉積(特別是在薄膜特性會直接影響 MEMS 性能的地方,如壓電材料等)和晶圓封蓋。光刻也是另一道需要經常調整的工藝,MEMS 的 3D 結構相比於普通的平面結構難度更高。 再次,MEMS 需要具有獨特專有的設備開發技術。例如,DRIE 通過精密刻蝕硅材料,嚴格控制深度、寬高比及側壁輪廓來實現 3D 結構。刻蝕可深可淺,而且涉及到刻蝕晶圓的任意比例。開發這些刻蝕工藝的關鍵參數需要特定的 MEMS 工藝工程技術,同時還需要這些專門的設備來積累豐富的經驗。 人才壁壘也是不可忽視的一個方面。 MEMS 開發過程中相互影響的因素,如工具、設計及工藝的相互依賴,意味着成功的 MEMS 項目依賴於豐富的產品經驗以及對這些影響因素的充分理解。從經驗上來看,MEMS 項目通常需要受過高等教育的工程師組建為專門化團隊進行集體研發,工程師需要擁有至少 10 年工作經驗,以保證研發效率及成功率,而具備前述條件的工程師十分稀缺。因此 MEMS 市場存在相當高的人才壁壘。 五、MEMS行業競爭格局 MEMS 製造上連產品設計,下接產品封測,是 MEMS 產業鏈中必不可少的一環。MEMS 產品類別多樣、應用廣泛,客户定製化程度非常高,其生產採用的微加工技術強調工藝精度,屬於資金、技術及智力密集型行業。 全球範圍內,MEMS 產能主要集中在歐美等發達國家,目前國際主要 MEMS 代工sf集運之間市場份額差距不大,且市場整體集中度較低,因此競爭較為激烈。國內目前尚未出現擁有持續量產實踐的 MEMS 製造企業,但國內市場需求巨大,政策及產業合力助推 MEMS 全產業鏈佈局,未來產能將部分向國內轉移,預計短期內國內MEMS 市場將處於弱競爭窪地,隨着國內 MEMS 產業的發展與成熟,未來國內MEMS 企業間摩擦將日益加劇。 從產業發展趨勢上看,儘管目前 IDM 企業憑藉長期的行業積累、技術實力以及客户基礎主導着 MEMS 加工製造,隨着新興器件的湧現、新細分市場及應用的開闢以及純代工 MEMS 企業在擅長領域內的設計與加工工藝沉澱而產生的經驗效應,能夠同時處理多類器件開發及生產的純MEMS 代工企業將成為製造外包業務中的強力競爭者。 就競爭強度而言,部分中低端器件尤其是消費電子類 MEMS 器件出貨量巨大且技術要求較低,商品同質化程度較高,可預見未來細分行業市場競爭將會加劇。

    時間:2020-10-23 關鍵詞: 半導體 集成電路 mems芯片

  • 獲得美國許可,台積電與華為合作再續

    獲得美國許可,台積電與華為合作再續

    華為在近年來迅速崛起,手機業務超越三星,成為世界第一大手機sf集運,通訊領域也成功打破了高通等美企壟斷的局面,成為了5G通訊領域的主導者。在互聯網時代,誰掌握通訊領域的主導權,誰就能成為經濟發展趨勢的主導者。毫無疑問,華為成為了美國眼中“科技霸權”的挑戰者! 早在華為被列入實體清單之後,台積電就宣佈未來將會繼續為華為提供代工芯片的服務,這也讓華為以及消費者感到安心。因為麒麟9000芯片採用的是最先進的5nm工藝製程,而台積電在這方面是當之無愧的巨頭。但是好景不長,伴隨着美國對華為芯片禁令的收縮,華為芯片面臨着前所未有的危機。 雖然在得知消息之後,台積電加快生產為華為趕貨,但是依舊無法滿足華為對芯片的巨大需求。如今,華為芯片斷供已經過去了一月之餘,雖然華為啓動了南泥灣計劃、塔山計劃等應對方案,但是很顯然,想要在短期之內解決西方百年積累的技術壁壘難上加難。 雖然國產半導體可以生產28nm工藝製程的芯片,但是對於7nm、5nm盛行的當下,無疑很難解決華為的實質性問題。斷供之後,包括台積電在內的多家芯片sf集運表示願意為華為供貨,但是美國並未同意這項申請,華為芯片危機陷入了泥潭。 隨後,中科院與中芯國際入局,幫助華為解決芯片製造的難題,但是,目前尚未完全解決。 可就在千鈞一髮時刻,台積電重磅官宣,根據台灣電子時報報道,台積電已經正式獲得供貨許可證,這意味着台積電可以繼續向華為供貨中低端芯片,其中囊括了14nm以及16nm的工藝製程。雖然並不能解決華為目前最高端的芯片問題,但是這個消息對於海思麒麟而言,絕對是一個好消息,有望將麒麟芯片復活。 目前,除了最新一代的麒麟9000以及麒麟970以上芯片無法代工,其餘基本都可以代工。要知道,目前華為很多終端設備都是靠台積電代工,這可以解決華為的燃眉之急。 並且隨着5G物聯網的發展,智能家居將會是華為未來發展的重點項目,而這些設備台積電基本都可以代工芯片,這對於華為來説,無疑是一個好消息。 台積電董事長劉德音曾説過,美國肆意動用政治手段打壓其他國家高新企業的行為,不但不會讓本國企業在行業內獲得更多的話語權,反而會激發他國的鬥志,大力發展半導體領域,打造自己的半導體產業鏈,擺脱對美企的依賴,進而使美企失去行業話語權。

    時間:2020-10-23 關鍵詞: 華為 台積電 麒麟芯片

  • 2024年到2025年,台積電的主要產能將集中在台南科學園區

    2024年到2025年,台積電的主要產能將集中在台南科學園區

    在芯片製程工藝方面,台積電一直走在行業前端。據報道,在今年一季度,台積電5nm工藝大規模投產,且更為先進的3nm工藝也在穩步就班地按計劃推進,計劃於2021年風險試產,並於2022年下半年大規模投產。 5nm和3nm工藝,將是台積電未來幾年能帶來大量營收的工藝,而從外媒的報道來看,台積電這兩大工藝的主要的產能,都將在他們位於台南科學園區的晶圓廠內,台積電2024年和2025年的產能,也將主要集中在台南科學園區。 台積電目前在台南科學園區有3座晶圓廠,分別是晶圓十四廠、晶圓十八廠和晶圓六廠,其中前兩座是12英寸的超大晶圓廠,後一座是八英寸晶圓廠。 台積電官網的信息顯示,晶圓十八廠是他們5nm製程工藝的主要生產基地,也就意味着他們5nm工藝的產能,主要集中在這一晶圓廠。 而除了5nm工藝,台積電3nm製程工藝的工廠,也將建在台南科學園區內,他們在2016年就公佈了建廠計劃,投資高達195億美元,工廠靠近5nm製程工藝的主要生產基地晶圓十八廠。 由於5nm和3nm是台積電未來一段時間的主要工藝,這兩大工藝的生產基地同在台南科學園區,也就意味着在未來的一段時期,台積電的主要產能將集中在台南科學園區,且2024年到2025年,台積電60%到70%的產能將在台南科學園區。

    時間:2020-10-23 關鍵詞: 台積電 晶圓廠 芯片工藝

  • 未來智能可穿戴設備,手錶或是終極形態

    未來智能可穿戴設備,手錶或是終極形態

    智能手錶或許是未來智能可穿戴設備的終極形態,人工智能公司出門問問推出新款全智能手錶,TicWatch Pro 3。TicWatch Pro 3是全球首款搭載高通驍龍4100旗艦級全智能手錶,並且其操作系統為Wear OS by Google。 智能手錶行業經過數年時間發展,採訪中李志飛表示,從2015年發佈第一款AI軟硬結合產品TicWatch開始篤定AI+可穿戴是未來的重要趨勢之一。 由於屏幕小、不便於頻繁手部操作,且具備足夠的私密性、便攜性,包括智能手錶、智能耳機在內的AI可穿戴設備一直被看好作為語音交互的爆點場景,能夠提供更隨身、更私密、更清晰的人機語音交互體驗。 據IDC最新數據顯示,可穿戴設備將在2020年達到近4億的出貨量,目前全球最暢銷的可穿戴設備類別是無線耳機等耳戴式設備。 儘管世界上大部分地區都受到新冠疫情的影響,但可穿戴設備出貨量還是出現了上升,預計2020年將比2019年的出貨量增加約6000萬。 未來,李志飛稱,隨着eSIM一號多終端和未來5G商用等在內的新移動通訊技術普及,用户在AI可穿戴上使用獨立通訊的成本顯著降低。 AI可穿戴、特別是智能手錶和智能耳機的“腕上+耳邊”組合,將真正可能替代智能手機成為人們生活中最重要的聯網終端之一。 除設備外,補充可穿戴設備的服務也是重要趨勢。蘋果公司近期宣佈Fitness +,亞馬遜新Halo和Fitbit的Fitbit Premium為用户提供健康和健身內容,同時整合了可穿戴設備中的數據。 國內市場中,今日華米科技也發佈了Amazfit Pop,其旗艦級別健康功能是其主要特色——Amazfit Pop支持血氧飽和度檢測,幫助用户及時測量血液中的氧氣含量。 當用户從事長時間腦力工作或進行高強度户外運動時,可以第一時間通過 Amazfit Pop 上的血氧飽和度數值及時調整身體狀態。 除可穿戴設備外,出門問問將以“AI智能硬件+AI車載+AI企業服務”三大落地場景的業務為主要發展方向,目前已實現AI語音交互在可穿戴、車載、家居、企業服務四大場景的落地。

    時間:2020-10-23 關鍵詞: 人工智能 可穿戴 智能手錶

  • 意法半導體公佈2020年第三季度財報

    意法半導體公佈2020年第三季度財報

    · 第三季度淨營收26.7億美元; 毛利率36.0%;營業利潤率12.3%; 淨利潤2.42億美元 · 截至第三季度,本年淨營收累計69.8億美元; 毛利率36.3%;營業利潤率9.5%; 淨利潤5.25億美元 · 業務前瞻中位數:第四季度淨收入29.9億美元;毛利率38.5% 中國,2020年10月23日——橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體公佈了按照美國通用會計準則(U.S. GAAP)編制的截至2020年9月26日的第三季度財報。本新聞稿還包含非美國通用會計準則財務數據(詳情參閲附錄)。 意法半導體第三季度淨營收26.7億美元,毛利率36.0%,營業利潤率12.3%,淨利潤2.42億美元,每股攤薄收益0.26美元。 意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery評論第三季度業績時表示: · “如同我們在2020年10月1日提前公佈的一樣,2020年第三季度淨營收環比提高27.8%,比最高預期高690個基點。整個第三季度市場環境明顯好於預期,來自汽車產品的需求,我們的個人電子產品領域執行的客户項目,以及微控制器需求,是取得這一業績的主要因素。第三季度毛利率處於我們預期中值水平,包括約140個基點的閒置產能支出。 · “展望第四季度,預計營收中位數將環比增長12.0%。除射頻通信子業務部,其他所有產品業務預計都將實現增長。毛利率預計約38.50%,包括約70個基點的閒置產能支出。 · “2020年全年淨營收中位數預計約99.7億美元,同比增長4.3%,同時營業利潤率將保持在兩位數。” 季度財務摘要(美國通用會計準則) 2020年第三季度總結回顧 淨營收總計26.7億美元,同比增長4.4%。與去年同期相比,汽車產品、影像芯片和功率分立器件收入雖有所下降,但是微控制器、射頻通信、MEMS和模擬器件銷售收入增長抵消了部分降幅。OEM銷售收入同比增長7.5%;代理渠道銷售收入同比下降3.4%。從環比看,淨營收增長27.8%,比公司預期最高目標高690個基點。所有產品部門都實現銷售收入環比兩位數增長。 毛利潤總計9.59億美元,同比下降0.8%。毛利率36.0%,同比下降190個基點,價格壓力和閒置產能支出是同比下降的主要因素。第三季度毛利率與公司預測的中位數持平。 營業利潤同比下降2.0%,總計3.29億美元,去年同期為3.36億美元。營業利潤率同比下降80個基點,佔淨營收的12.3%,而2019年第三季度為13.1%。 各產品部門財務業績同比: 汽車和分立器件產品部(ADG) · 汽車產品和功率分立器件的銷售收入均有所下降 · 營業利潤4,900萬美元,同比下降35.7%。營業利潤率5.8%,去年同期8.5% 模擬器件、MEMS和傳感器產品部(AMS) · MEMS和模擬器件銷售收入均實現增長,影像芯片收入有所減少 · 營業利潤1.75億美元,同比下降11.8%。營業利潤率17.5%,去年同期20.5% 微控制器和數字IC產品部(MDG) · 微控制器和射頻通信(以前的“數字IC”子業務部)均增長 · 營業利潤1.42億美元,增長32.0%。營業利潤率17.4%,去年同期15.7% 閒置產能支出列在部門的“其它”欄內。 淨利潤和每股攤薄收益分別降至2.42億美元和0.26美元,而去年同期分別為3.02美元和0.34美元。 現金流量和資產負債表摘要 2020年第三季度資本支出(扣除資產銷售收入後)為3.19億美元,年初到第三季度累計8.97億美元。去年同期,資本支出為2.44億美元。 本季度末庫存為19.3億美元,高於去年同期的17.9億美元。季末庫存週轉天數為103天,低於去年同期的100天。 為進一步加強公司無線連接業務,業務兼併支出7,600萬美元;2017年發行的2022 A級可轉換債券結算支付應計利息3300萬美元;扣除這兩項費用後,第三季度自由現金流(非美國通用會計準則)為負2500萬美元,去年同期為正1.7億美元。 第三季度公司支付現金股息總計3,800萬美元。 截至2020年9月26日,意法半導體淨財務狀況(非美國通用會計準則)為6.62億美元,相比之下,2020年6月27日淨財務狀況為5.70億美元。總流動資產為35.3億美元,總負債為28.7億美元。 本季度,意法半導體行使了債券贖回期權,提前贖回2017年發行的2022 A級可轉換債券。最終,A級債券持有人行權總額7.5億美元。意法半導體以淨額結算方式收付債券,支付7.5億美元現金和約1100萬股庫存股,大部分交易在第三季度完成,剩餘部分在第四季度初完成。2020年第三季度,在行駛贖回權的同時,意法半導體還新發行了15億美元的兩級優先無擔保可轉債(每級7.50億美元),分別於2025年和2027年到期。 業務展望 2020年第四季度公司指導目標(中位數): · 淨營收預計29.9億美元,環比增長約12.0%,上下浮動350個基點; · 毛利率約為38.5%,上下浮動200個基點; · 本前瞻假設2020年第四季度美元對歐元有效匯率大約1.15美元=1.00歐元,包括當前套期保值合同的影響 · 第四季度結賬日為2020年12月31日

    時間:2020-10-23 關鍵詞: 財報 意法半導體 第三季度財報

  • 如何建立基於MEMS的解決方案,以在狀態監控期間實施振動檢測

    如何建立基於MEMS的解決方案,以在狀態監控期間實施振動檢測

    對於使用電機、發電機和齒輪等的機械設備和技術系統,狀態監控是當前的核心挑戰之一。在最大限度降低生產停機風險這一方面,計劃性維護的重要性日益凸顯,不僅是在工業領域,在任何使用機械系統的地方均是如此。除此以外,本文還分析了機器的振動模式。齒輪箱導致的振動在頻域體現為軸速的倍數。不同頻率點的磨損、不平衡或鬆脱的部件等異常。我們通常使用基於MEMS(微機電系統)的加速度計來測量頻率。與壓電式傳感器相比,它們具有更高的分辨率、出色的漂移特性和靈敏度,以及更高的信噪比(SNR),此外,還能檢測幾乎接近直流範圍的極低頻率振動。 本文介紹一種基於ADXL1002 MEMS加速度計的高線性、低噪聲、寬帶振動測量解決方案。這種解決方案可用於實施軸承分析或發動機監測,且適用於所有需要動態範圍高達±50 g、頻率響應範圍為從直流至11 kHz的應用。 圖1顯示的是一個示例電路。來自ADXL1002的模擬輸出信號通過2階RC濾波器饋送至逐次逼近寄存器(SAR)模數轉換器(ADC) AD4000,將模擬信號轉化為數字值,以進一步處理信號。 圖1.ADXL1002的示例電路 ADXL1002是ADI公司一款高頻率的單軸MEMS加速度計,提供遠超過傳感器諧振頻率範圍的輸出信號通頻帶。採用此器件之後,也可以監測3 dB帶寬以外的頻率。為了實施這種監測,ADXL1002的輸出放大器需要支持70 kHz小信號帶寬。使用ADXL1002的輸出放大器也可以直接驅動實現高達100 pF的容性負載。要實現高於100 pF的負載,需要使用不低於8 kΩ的串聯電阻。 ADXL1002的輸出端需要配備外部濾波器,以消除ADXL1002的輸出放大器和其他內部噪聲組件產生的混疊噪聲,例如,耦合內部200 kHz時鐘信號產生的噪聲。因此,需要相應採用濾波器帶寬。採用圖1所示的尺寸(R1 = 16 kΩ,C1 = 300 pF,R2 = 32 kΩ,C2 = 300 pF)時,在200 kHz時會實現約84 dB衰減。此外,選擇的ADC採樣速率應該高於放大器的帶寬(例如,32 kHz)。 對於ADC,選擇ADXL1002的電源電壓作為其基準電壓源,這是因為輸出放大器與電源電壓成比率關係。在本例中,電源電壓的容差和電壓温度係數(一般連接至外部穩壓器)介於加速度計和ADC之間,所以可以抵消與電源和基準電壓相關的隱含誤差。 頻率響應 加速度計的頻率響應是該系統最重要的特性,具體如圖2所示。在頻率高出約2 kHz至3 kHz時,增益增加。對於諧振頻率(11 kHz),在輸出電壓下產生約12 dB(因子為4)的最大增益值。 圖2.ADXL1002的頻率響應 為了顯示量程過沖(超量程),ADXL1002配備了一個對應的輸出(OR引腳)。發生明顯的超量程事件時,集成式監測器會發出警報。 機械安裝注意事項 應特別注意將加速度計放置在正確的位置。加速度計應安裝在靠近板的剛性安置點的位置,避免電路板本身產生任何振動,以及因為電路板振動未受抑制而導致的測量誤差。這種放置可以確保加速度計每次受到的電路板振動的頻率都高於機械傳感器的諧振頻率,因此實際上對加速度計是不可見的。多個安裝點時,接近傳感器和較厚的板也有助於降低系統諧振對傳感器性能的影響。 結論 採用圖1所示的電路時,可以相對容易地構建基於MEMS的解決方案,ADI公司該方案可以檢測直流範圍到11 kHz的振動(旋轉機器的狀態監控通常要求採用這一範圍)。

    時間:2020-10-23 關鍵詞: adi mems 振動檢測

  • 三星今年訂購了9台EUV光刻機,李在鎔跑ASML總部去催貨

    三星今年訂購了9台EUV光刻機,李在鎔跑ASML總部去催貨

    作為半導體生產中的重要設備,光刻機不可或缺,尤其是7nm以下先進工藝生產離不開的EUV光刻機,目前全球只有荷蘭ASML公司能夠生產,而台積電、三星、英特爾等晶圓生產大廠,都有迫切需求,因此這個市場出現了供不應求的局面。 圖源 | Koreanherald.com 據businesskorea報道,三星電子副會長李在鎔正敦促ASML的高管儘早交付三星今年訂購的9台的EUV光刻機。 該報道指出,李在鎔日前在到訪荷蘭時,與ASML的CEO Peter Wennink、CTO Martin van den Brink等高管進行了會晤。李在鎔要求ASML提前1個月交付EUV光刻機。對於三星的要求,傳ASML考慮最快11月出貨。 據悉,ASML是全球唯一能夠生產EUV光刻機的sf集運,年產量為40餘台,台積電方面希望獲得全數供應。EUV光刻機的價格昂貴,每台要價約1.3億美元(近10億元人民幣),由於是EUV製程必需的關鍵設備,台積電與三星電子的競爭日益激烈。 現階段,確保EUV光刻機的數量是三星最緊迫的任務,如果EUV光刻機的安裝延遲,全球客户最先進的高性能、低功耗芯片訂單將流向台積電。 21ic家注意到,台積電最近公佈了其三季度營收,實現同比21.6%的增長,其中7nm的佔比最高為35%,最新的5nm工藝首次開始貢獻營收,佔比達到了8%,台積電表示,客户對5nm和基於5nm改進的4nm芯片的需求非常強勁,明年5nm貢獻將接近甚至超過20%。面對台積電積極佈局下一代先進工藝,三星無疑壓力滿滿,此次催貨EUV光刻機,就可見一斑。

    時間:2020-10-23 關鍵詞: 三星 asml 李在鎔 euv光刻機

  • 雷軍押注的LPDDR5內存戰火再起:激烈較量中,美光再拋殺手鐗

    雷軍押注的LPDDR5內存戰火再起:激烈較量中,美光再拋殺手鐗

    (21ic原創文章,未經許可,請勿微信公眾號發佈,其他平台轉載,請註明來源,謝謝!) LPDDR(Low Power Double Data Rate )是JEDEC固態技術協會面向低功耗內存制定的通信標準,以低功耗和小體積著稱,設計之初即專門用於移動式電子產品應用。JEDEC認為,LPDDR5有望對下一代便攜電子設備(手機、平板)的性能產生巨大提升。 美光率先量產LPDDR5內存,小米10首發 今年2月,內存大廠美光率先宣佈量產LPDDR5 DRAM芯片,並同時宣佈首發於小米10智能手機。 作為客户,小米對LPDDR5讚不絕口。雷軍更是以“LPDDR5真牛”狂贊不已。 據小米官方給出的數據,採用美光LPDDR5內存的小米10手機在內存性能方面有約30%的大幅提升。由於採用LPDDR5高性能內存,小米10手機在5G雲遊戲、AI運算等場景方面可以有效降低雲遊戲延遲、確保AI運算數據實時同步。在遊戲(王者榮耀)場景中,採用LPDDR5可以省電約20%,在微信語音和視頻場景應用中,可省電約10%。 雷軍為此直呼,LPDDR5將是2020旗艦手機的標配。 據悉,率先量產的美光LPDDR5運用領先的封裝技術,單裸芯片12Gb,其傳輸速率最高6.4Gbps比 LPDDR4快了近一倍,比LPDDR4x快了20%以上,數據訪問速度提高了50%。 三星量產速度最高/容量最大LPDDR5內存,採用EUV技術 8月30日,另一家存儲大廠三星也宣佈量產LPDDR5內存。據三星介紹,該16Gb LPDDR5內存基於其第三代10nm級(1z)工藝打造,是首款採用EUV技術量產的內存,達到了當時移動DRAM產品的最高速度和最大容量。由於採用了更先進的1z工藝製造,三星LPDDR5在尺寸上比上一代產品薄了30%,更能適應智能手機對多功能小體積的苛刻要求。 美光再拋殺手鐗,宣佈量產LPDDR5 DRAM多芯片封裝產品 就在三星宣佈推出容量更大的LPDDR5 DRAM芯片之後,10月21日,美光再次拿出殺手鐗,宣佈量產LPDDR5 DRAM多芯片封裝產品。 據美光宣稱,這是業界首款基於低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 的通用閃存存儲(UFS)多芯片封裝量產產品 uMCP5。該款多芯片封裝產品搭載美光 LPDDR5 內存、高可靠性 NAND 以及領先的 UFS3.1 控制器,實現了此前只在使用獨立內存和存儲芯片的昂貴旗艦手機上才有的高級功能。 既有DRAM,又有NAND,且集成在一個緊湊封裝中,使智能手機能夠應對數據密集型 5G 工作負載,顯著提升速度和功效。 美光uMCP5目前可提供四種不同的密度配置:128+8GB,128+12GB,256+8GB 和 256+12GB。 美光uMCP5產品將把LPDDR5推向中端手機等更廣闊市場 美光移動產品事業部區域營銷高級經理 Mario Endo在接受21ic電子網獨家採訪時表示,“雖然LPDDR5 的首次應用場景針對的是高端智能手機,而隨着我們開發基於LPDDR5 的多芯片封裝解決方案——uMCP5,這款產品將在明年被應用於中端智能手機。”而且,不僅高中端手機,就連汽車、5G、人工智能等市場,也是美光LPDDR5的目標市場。 美光移動產品事業部區域營銷高級經理 Mario Endo 據Mario Endo介紹,美光LPDDR5的速度和容量完全支持內置在移動處理器中的人工智能引擎,這些處理器依賴於美光的內置高速LPDDR5 內存來增強其機器學習能力。美光的LPDDR5 DRAM 數據訪問速度提高了50%,從而滿足了這些需求。美光LPDDR5 還支持5G 智能手機以高達6.4Gbps 的峯值速度處理數據,為了避免5G 數據傳輸遇到瓶頸,這項優勢至關重要。 對於新量產的uMCP5產品,Mario Endo指出,在容量、速度和功耗等方面都取得了實質性的改進。在DRAM 層面,LPDDR5接口與LPDDR4x相比,帶寬提高了50%,功耗降低了20%;而在NAND 層面,UFS3.1 接口單通道的帶寬提高了一倍以上,最新的NAND 和控制器技術可節省20% 的器件級功耗。 美光的uMCP5 在一個11.5x13mm封裝中提供了高達256GB的存儲空間和12GB的DRAM。這是藉助最新的技術節點使用高密度裸片實現的:DRAM端提供了12Gb單裸片;NAND端採用96 層(3D)技術提供了512Gb 單裸片;同時結合了美光的陣列下CMOS 設計,將CMOS 邏輯器件置於 NAND陣列之下。 Mario Endo預計,在未來幾年內,uMCP5 將在整個移動市場得到廣泛採用——尤其是LPDDR 的帶寬增長了50%,彌補了與旗艦產品通常使用的層疊封裝(PoP,Package-on-Package)器件的差距,而旗艦產品已經在使用LPDDR5。 正如Mario Endo所説,在小米10帶動下,雷軍振臂高呼下,高端的旗艦手機紛紛啓用LPDDR5內存。據Mario Endo透露,除了小米10,摩托羅拉edge+ 手機中也採用了美光LPDDR5,截止採訪時,美光已經向20 多家客户交付了LPDDR5產品。Mario Endo還表示,環視市場,三星、OPPO、One Plus(一加)、索尼等其他移動設備 OEMsf集運也非常青睞LPDDR5 這項技術。 圍繞LPDDR5技術的競賽正酣,而美光祭出的uMCP5這記殺手鐗,會在移動領域這片藍海里掀起什麼波瀾?讓我們拭目以待!

    時間:2020-10-23 關鍵詞: 美光 雷軍 技術專訪 lpddr5

  • 可穿戴設備行業規模持續擴張

    可穿戴設備行業規模持續擴張

    1975年,可穿戴設備最早開始發展,其後產品發展經過了雛形發展階段和蓬勃發展階段。 從市場出貨量來看,2019年全球可穿戴設備出貨量達到3.4億台,同比大幅上升。 從全球市場sf集運出貨量排名上看,蘋果、華為和小米排名前三,2020年二季度市場份額分別為34.2%、12.6%和11.8%。 從中國市場sf集運出貨量排名上看,華為、小米和蘋果位列前三,2020年二季度市場份額分別為29.2%、21.3%和19.1%。 從全球可穿戴設備產品結構來看,2018-2019年耳戴設備市場份額大幅上升,2019年佔比達到50.7%;手環、手錶類產品份額有所下滑,2019年佔比分別為20.6%和27.5%。 1、全球可穿戴設備行業規模持續擴張,2019年出貨量達3.4億台 作為互聯網和物聯網深度融合的重要體現,智能可穿戴設備產品形式多樣。隨着居民收入水平的提高,人們對便攜、智能的可穿戴設備的需求不斷增加。 谷歌的智能眼鏡,蘋果的智能手錶AppleWatch、AirPods以及小米智能手環等產品的推出,共同推動了可穿戴設備產業生態的建立與終端市場消費習慣的形成。 近年來,伴隨着藍牙5.0為代表的無線技術的快速發展、WTS耳機的智能降噪技術的進步、低功耗技術不斷突破等,可穿戴設備的下游需求將持續增強。 IDC數據顯示,2019年全球可穿戴設備出貨量達到3.4億台,同比大幅上升。這一增長受益於智能手錶、智能手環、持續血糖監測系統(CGM)、助聽器、耳機等產品形態和AR(增強現實)、VR(虛擬現實)和MR(介導現實)等時新技術的助力。 截止至2020年第二季度全球可穿戴設備市場增長了14.1%,出貨量達到8620萬台。疫情期間,消費者對音頻類及健康追蹤類可穿戴設備需求增加,是促使出貨量增長的重要原因。 2、全球市場蘋果排名第一,中國市場小米排名領先 從全球市場sf集運排名上看,其中蘋果以2940萬台出貨量位居第一,同比增長高達25.3%,市場佔比為34.2%; 華為以1090萬台出貨量排名第二,同比增長58%,市場佔比12.6%; 小米以1010萬台出貨量排名第三,同比增長13.5%,市場佔比11.8%; 三星以710萬台出貨量排名第四,同比增長0.9%,市場佔比8.3%; Fitbit以250萬台出貨量排名第五,是前五大sf集運中唯一同比下滑的品牌,下滑幅度達29.2%,市場佔比2.9%。 2019年全年中國可穿戴設備市場出貨量9924萬台,同比增長37.1%。從中國市場sf集運排名上看,小米、華為和蘋果位列前三。 小米手環4在2019年第四季度繼續保持穩定且大規模的出貨,而耳機類產品,尤其是真無線耳機獲得了顯著的同比增長。 華為保持高速增長,其中手錶產品表現亮眼,尤其是華為GT 2擴張勢頭迅猛。蘋果的耳機類產品在年末促銷的刺激下,同比增長顯著。 小天才成功從2G市場向4G市場轉移,並在線上渠道拓展方面取得了積極有效的成果。 奇虎360在逐漸調整渠道政策,渠道策略逐漸向保守型調整,另外推出老人手錶,準備探索老人健康市場。 3、耳機份額提升,手環、手錶類產品份額下滑 從可穿戴設備產品結構來看,2018-2019年,耳戴設備市場份額大幅上升,2019年佔比突破50%,達到50.7%;手環、手錶類產品份額有所下滑,2019年佔比分別為20.6%和27.5%。

    時間:2020-10-22 關鍵詞: 設備 小米 可穿戴

  • 英偉達收購Arm引發華為等國企的強烈擔憂

    英偉達收購Arm引發華為等國企的強烈擔憂

    有知情人士透露,中國幾家最有影響力的科技公司一直在遊説國家市場監管局,要麼拒絕這筆交易,要麼附加條件,以確保中國公司能夠繼續使用Arm的技術。包括華為技術有限公司在內的中國科技公司已向當地監管機構表達了對英偉達公司收購Arm的強烈擔憂。 在此之前,今年9月,英偉達宣佈擬400億美元代價收購Arm案,後續進展仍備受關注。目前,該筆交易目前仍需得到中國、英國、歐盟以及美國監管機構的批准。 眾所周知,英國Arm公司是全球領先的半導體知識產權(IP)提供商。全世界超過95%的智能手機和平板電腦都採用 Arm 架構,包括蘋果、三星和高通都採用了Arm技術。在2016年,Arm被軟銀以243億英鎊收購。2020年4月,Arm又被母公司軟銀掛牌出售,並聘用高盛為其物色潛在買家。起初,包括蘋果、高通、三星和英偉達都有收購Arm的意向,但最後談判桌上的買家僅剩英偉達。據瞭解,華為一系列芯片產品,包括智能手機處理器麒麟、服務器芯片鯤鵬,以及AI芯片昇騰也都基於 Arm 架構設計的,若無法繼續使用授權,這些芯片均無法生產。 報道稱,這些中國科技公司擔憂,若此次收購被予以通過,意味着Arm將處於美國的司法管轄之下,英偉達可能會強制Arm切斷與中國客户的聯繫,而Arm將淪為美中兩國爭奪科技霸主地位的又一枚棋子,切無法保持中立性的Arm也可能會因此失去行業地位。 華為方面拒絕對此消息置評。英偉達方面則再提CEO黃仁勳早些時候的表態“有信心這筆交易將會通過審查。” 一、多家科技巨頭提出反對 外媒報道指出,在英偉達正式宣佈收購意願後,包括英特爾、高通、特斯拉在內的多家硅谷科技企業反對。中國和歐盟的監管機構也可能會反對該收購案。據瞭解,包括蘋果、博通、NXP、意法半導體、英特爾、高通與聯發科等大廠都是Arm的授權客户,這些企業都視NVIDIA為競爭對手。 據瞭解,這些多家sf集運正在商討反對行動,預計會很快公佈相關公告向美國和世界各國當局表達他們的擔憂。值得一提的是,蘋果也參與了此次討論。不過,有消息指出,蘋果之後可能會退出這一反對收購陣營,並另行與英偉達和 Arm 單獨達成協議。 另外,包括Arm股東、政界人士和行業專家都在持續關注對此交易,提出對交易存在潛在的就業風險,還有可能威脅Arm在全球的地位。 二、英國:若潛在風險大,將採取行動 隨着反對聲浪越來越大,上週傳出英國政府近日正審慎評估因英偉達收購芯片設計公司Arm後可能帶來的影響,並存在叫停這起併購交易的可能。與此同時,英國商務部門也在權衡英偉達收購Arm的利弊。 英國一位發言人指出,“Arm是英國科技行業的重要組成部分,為英國經濟做出了重大貢獻。雖然收購主要是有關各方的商業事務,但政府會密切關注這些問題,當收購可能對英國產生重大影響時,我們將毫不猶豫地進行進一步調查並採取適當行動。” 與此同時,英國的前商務大臣Lord Peter Mandelson也呼籲英國政府阻止該項交易。他在近期接受媒體採訪時表示,“這將直接威脅到我們在英國和歐洲的供應安全和主權,英偉達擁有所有權的同時就擁有了控制權,就可以決定Arm做什麼或是供應誰。” 在中資控股Imagination風波後,今年6月,英國首相Boris Johnson敦促唐寧街制定法律,規定公司必須報告可能導致安全風險的收購企圖,否則將受到刑事處罰。新法案要求,如果外資收購部分涉及超過25%的公司股權,或者涉及公司知識產權等資產,公司負責人就有義務向英政府報告。在該項法案實施後,如果有企業違反這一規定,將可能面臨刑事處罰,其負責人可以被起訴乃至入獄。 據悉,Johnson還希望將學術合作和研究項目也納入這些規則,有分析認為這反映了英國資金緊張的大學尋求與海外公司合作的擔憂。 三、業者普遍看壞交易前景 事實上,今年8月,業內傳出英偉達有意收購Arm的消息後,已經在半導體產業界引發熱議,不同於黃仁勳認為的“雙贏”結果,有業者結合國際貿易形勢看壞對這一交易前景,認為收購案將面臨重重障礙, :“除了各國監管障礙外,不要忽略一個事實——英偉達恰好是Arm授權客户們的競爭對手,就這一點開説,答應的可能性能有幾成?”當時,ASPENCORE旗下ESM姐妹媒體《EETimes》曾就收購中可能遇到的障礙做了深入分析(英偉達若重金買下ARM,會有好結果嗎?)。 包括Arm的聯合創始人Hermann Hauser同月也公開表態稱“如果英偉達收購Arm,將會是一場災難”,他表示,英偉達收購Arm的性質不同之前,軟銀本身並非芯片公司,Arm的中立性才得以保持。 “一旦這一交易達成,Arm將成為英偉達部門之一,所有決定將在美國做出,而不再在劍橋做出。”Hauser認為,當前交易已經威脅到了英國的技術未來,英國政府應該出面干預。而 Arm 客户也擔心這筆交易將影響未來的競爭,導致ARM的新所有者獲得不公平的優勢。 該交易仍需得到中國、英國、歐盟和美國的批准,這一過程通常要求政府機構徵求客户和競爭對手的意見,或對他們的意見持開放態度。英偉達和Arm表示,他們有信心通過該協議,但可能需要18個月的時間才能獲得必要的批准。

    時間:2020-10-22 關鍵詞: 華為 ARM 英偉達

  • 蘋果產品路線圖顯示,2021款iPhone 13或採用高通X60芯片

    蘋果產品路線圖顯示,2021款iPhone 13或採用高通X60芯片

    當地時間週三,網絡上公佈的一段拆解視頻顯示,蘋果iPhone 12採用了高通的驍龍X55(Snapdragon X55)5G調制解調器芯片。 據國外媒體報道,蘋果的產品路線圖顯示,2021款iPhone很可能會採用高通驍龍X60調制解調器芯片。 2019年4月,蘋果和高通達成和解,雙方結束了長達兩年的專利許可之爭。當時,兩大公司還簽署了一項為期6年的可延期授權協議以及一項多年芯片組供應協議,這為蘋果iPhone 12系列以及其他產品使用高通的5G調制解調器鋪平了道路。 一名推特用户在一份和解文件中發現了蘋果在未來產品中使用高通5G調制解調器的路線圖。 和解文件的第71頁顯示,蘋果計劃在2021年6月1日至2022年5月31日期間推出搭載有驍龍X60調制解調器的新產品。同時,該公司還承諾在2022年6月1日至2024年5月31日期間推出的產品中使用尚未公佈的X65和X70調制解調器。 高通是在2020年2月推出X60調制解調器芯片的,該芯片基於5nm工藝打造,可同時連接低於6GHz和毫米波頻段的網絡,以獲得更可靠和更快的速度。與基於7nm工藝的X55相比,X60更小、更省電。這些都使得X60成為蘋果下一代iPhone的極佳候選產品。 高通在2020年2月推出X60調制解調器芯片時表示,採用該芯片的5G智能手機將在2021年開始推出。這也印證了蘋果產品路線圖透露的信息,即蘋果明年推出的iPhone新產品,應該會採用高通的X60調制解調器芯片。

    時間:2020-10-22 關鍵詞: 高通 蘋果 曉龍

  • Nexperia建立新的特定型應用FET類別以優化性能

    Nexperia建立新的特定型應用FET類別以優化性能

    奈梅亨,2020年10月22日:半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia響應行業需求,通過定義一組全新的MOSFET產品,最大限度提高性能。特定型應用FET(簡稱ASFET)所採用的MOSFET能為特定應用提供優化的參數。通過專注於特定的應用,可實現顯著的改進。 Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網供電(PoE)應用提供ASFET系列。 定製ASFET可實現的改進因應用而異,例如對於熱插拔應用,安全工作區域(SOA)能提高3至5倍;對於電機應用,最大額定電流可超過300 A。 Nexperia功率MOSFET事業部高級總監Chris Boyce評論道:“隨着設計人員打破性能界限,瞭解如何在應用中使用MOSFET至關重要。一份普通MOSFET數據手冊中有超過100個參數,但在每個項目中,通常只有幾個參數是重要的。 然而,隨着應用的改變,重要參數也會發生變化。在Nexperia,我們會確定產品中每個元素的性能,包括:核心晶圓技術、芯片設計、封裝、製造與測試程序。通過將特定應用的需求放在我們考慮的中心位置,我們可選擇對特定應用中最重要的參數進行優化,而這通常要犧牲其他較不相關的參數。本質上,我們將久經驗證的MOSFET專業知識與對應用的廣泛理解相結合,因此我們可以為特定應用或功能量身定製並提供最佳性能的產品。” 憑藉即將發佈的全新車用產品系列,ASFET類別將進一步增強,能夠為驅動感性負載提供有保證的重複雪崩耐受性。 Boyce補充道:“我們不斷尋求加深對具體應用的瞭解,經常與客户一起攜手合作。通過為我們優秀的工程師提供詳細的應用要求,我們將迎來全新且激動人心的創新機遇,大量ASFET技術進步即將問世。”

    時間:2020-10-22 關鍵詞: nexperia MOSFET asfet

  • 東芝推出新款採用PWM控制的雙H橋直流有刷電機驅動IC,推薦應用為移動設備和家用電器

    東芝推出新款採用PWM控制的雙H橋直流有刷電機驅動IC,推薦應用為移動設備和家用電器

    中國上海,2020年10月22日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣佈,推出H橋電機驅動IC“TC78H660FNG”,且採用了TSSOP16封裝和廣泛使用的引腳分配。這是東芝直流有刷電機和步進電機驅動產品系列中的最新成員,適用於包括移動設備和家用電器在內的眾多應用。 東芝的新一代DMOS工藝讓TC78H660FNG能夠在最大額定值為18V/2.0A[1]時實現低至0.48Ω的導通電阻,較東芝的現有產品發熱更低。 新款驅動內置了用於驅動內部邏輯電路的穩壓電源,可使用2.5V至16V的單電源來驅動電機。其應用範圍廣泛,其中包括由3.7V鋰離子電池供電的移動設備、5V USB供電的設備以及由12V電壓供電的家電系統設備。此外,它也支持1.8V的低壓接口。 特性: Ø 單電源驅動,簡單的PWM控制 Ø 導通電阻低,較東芝的現有產品發熱更低(Ron=0.48Ω(高側+低側:典型值)@VM=12V,Ta=25℃) Ø 電流消耗低(超低待機電流:0.1mA或更低@Ta=25℃) 應用: Ø 電池供電移動設備,包括機器人和玩具;家用電器,包括冰箱、智能電錶等 主要規格:

    時間:2020-10-22 關鍵詞: 東芝 pwm 電機驅動

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